安捷伦半导体光刻胶中杂质元素测定 SOP ， 助力光刻胶国产化

电子信息时代下 ，移动互联 、智能化技术浪潮激发上游半导体产业爆发式增长 。现阶段 ，半导体产业中 ，中国的崛起已是不争的事实 。

“光刻作为集成电路制程中的核心步骤 ，其过程中的试剂及材料的金属离子污染会直接导致制程良率降低甚至废品产生 ，尤其对于影响zui为严重的碱金属 、碱土金属 ，管控zui为严格 。而光刻胶作为光刻制程中的核心材料 ，其产品品质要求逐步提升 。金属离子含量管控需求已从成品逐步发展到全产业链 ，尤其对于基础原料中金属离子含量的控制 ，会直接影响后续工艺和最终成品 。”

原料筛查助力产品制程

表格为 ：Warm Plasma 模式

针对半导体光刻胶 ，从样品制备 ，到针对各种有机样品ICP-MS仪器参数选择 ，安捷伦与业内专家共同整理了《ICP-MS/MS 测定半导体光刻胶中的杂质元素 SOP》 ，期望助力光刻胶国产化 。

                                                                                                           ------转自安捷伦视界